Как увеличить производительность оперативной памяти: полное руководство

Как разгонять оперативную память: подробный обзор

Эта процедура ускорит работу без необходимости в финансовых затратах.

Какие факторы влияют на скорость работы оперативной памяти

Общая скорость работы компьютера прямо зависит от объема оперативной памяти. Ключевые характеристики, которые определяют ее способность к чтению и записи данных, включают следующие атрибуты.

Эффективная скорость передачи данных

Операционная скорость памяти зависит от объема выполненных циклов передачи данных за одну секунду. Более высокая емкость в этой области часто означает улучшенную работу памяти.

Эта метрика официально измеряется в гигапереносах (GT/s) или мегапереносах (MT/s). Каждый перенос обозначает одно перемещение данных, при этом один мегаперенос равен одному миллиону операций, в то время как гигаперенос соответствует одному миллиарду.

Тем не менее, производители обычно указывают скорость с помощью мегагерц или гигагерц для ясности с потребителями. Например, модуль оперативной памяти, обозначенный как DDR4-2133, означает скорость передачи данных 2,133 MT/s или 2,133 MHz.

Интересно, что эффективная скорость передачи данных DDR-памяти вдвое превышает значение ее тактовой частоты, поскольку DDR обозначает двойную скорость передачи данных.

Тайминги

CAS тайминги (Column Access Strobe) представляют собой задержки, возникающие при работе оперативной памяти. Они измеряют, сколько тактовых циклов требуется модулю памяти для доступа к определенным битам данных; уменьшенные тайминги указывают на улучшенные характеристики.

Обычно выражаются в формате 15-17-17-39, эти тайминги содержат четыре различных параметра:

• CAS Latency — интервал между отправкой адреса колонки в память и началом передачи данных.
• RAS to CAS Delay — минимальное количество циклов, необходимых между активацией строки памяти и доступом к соответствующим колонкам.
• RAS Precharge Time — минимальные циклы, необходимые между выдачей команды предзарядки и началом работы с следующей строкой.
• DRAM Cycle Time tRAS/tRC — пропорция времени, в течение которого строка остается открытой для передачи данных, к полному времени цикла для доступа к строке и ее обновления.

Если модуль оперативной памяти имеет как высокую тактовую частоту, так и высокие тайминги, то он может работать медленнее, чем другой модуль с низкой частотой, но лучшими таймингами.

Напряжение

При просмотре характеристик оперативной памяти вы можете столкнуться с различными параметрами, такими как напряжение контроллера (SOC), обучение памяти при запуске системы (DRAM Boot), и источник опорного напряжения (Vref) и др. Для целей разгона SOC имеет особое значение. Стандартные значения напряжения обычно следующие:

• DDR2 — 1.8 V;
• DDR3 — 1.5 V;
• DDR4 — 1.2 V.

Кроме того, максимальные значения напряжения для каждого класса оперативной памяти не должны превышаться в процессе разгона:

• DDR2 — 2.3 V;
• DDR3 — 1.8 V;
• DDR4 — 1.5 V.

Увеличение частоты оперативной памяти требует повышения уровней напряжения; однако более высокое напряжение увеличивает риск преждевременного размеждения модуля.

Ранг

Оперативная память может быть одноранговыми, двухранговыми или четырехранговыми модулями, при этом ранг отражает количество массивов микросхем памяти, прикрепленных к одному модулю. Обычно один массив (банк) составляет 64 бита в ширину.

Одноранговые модули обычно содержат от 4 до 8 чипов на одном плане, тогда как двухранговые конфигурации содержат 16 чипов. Четырехранговые модули показывают плотность в 32 чипа.

Можно ли разгонять любую оперативную память?

Возможность разгона в основном зависит от возможностей материнской платы. Если она поддерживает разгон, то увеличение частоты памяти не должно представлять серьезных сложностей.

Для систем с процессорами Intel материнские платы с чипсетами серии X и Z оптимальны для разгона. В то время как модели W, Q, B и H не поддерживают эту функциональность.

Оперативная память Samsung широко признана за получение наиболее значительных улучшений производительности при разгоне, в то время как чипы Hynix и Micron могут продемонстрировать сравнительно скромные улучшения.

Как подготовиться к разгону оперативной памяти

Чтобы достичь положительных результатов и снизить риск повреждения компьютера, следуйте следующим подготовительным действиям.

Очистите компьютер

Разгон неизбежно повышает рабочие температуры компонентов. Чтобы обеспечить эффективную работу системы охлаждения, проведите тщательную очистку внутренней среды компьютера.

Установите программное обеспечение

Использование определенных утилит предоставит важную информацию о характеристиках вашей системы, помогая в тестировании после процесса разгона. К основным инструментам относятся программы для определения параметров памяти и приложения для оценки производительности.

Найдите последнюю версию BIOS/UEFI для материнской платы

Убедитесь, что прошивка вашей материнской платы актуальна перед началом процесса разгона.

Как разогнать оперативную память в BIOS

Разгон в BIOS представляет собой наиболее универсальный метод. Этот подход требует значительного времени и усилий, так как настройки должны делаться вручную. Важно не превышать максимальные уровни напряжения и внимательно следить за любой нестабильностью, обнаруженной во время тестирования системы.

Определите характеристики оперативной памяти

Используйте утилиты такие как Thaiphoon Burner и CPU-Z для сбора информации о спецификациях вашего модуля памяти.

Оцените производительность памяти в бенчмарке

Запустите бенчмарк для оценки возможностей модулей перед началом процесса разгона.

Увеличьте напряжение и частоту

Начните с повышения рабочего напряжения модулей памяти, затем постепенно увеличивайте частоту памяти.

Перезагрузите компьютер и проверьте результаты

Запустите бенчмарк снова после перезагрузки, чтобы определить, улучшилась ли производительность. Если удачно, переходите к тестированию стабильности системы.

Повторите

Продолжайте увеличивать частоту памяти, пока система не продемонстрирует стабильную работу.

Снизьте тайминги

После достижения самой высокой возможной частоты памяти, уменьшите базовые тайминги (начальный квартет значений) на единицу и повторно протестируйте систему для обеспечения стабильности.

Как разогнать оперативную память с помощью профиля XMP

Профиль XMP (eXtreme Memory Profile) состоит из параметров разгона, заданных производителем оперативной памяти.

Проверьте, поддерживает ли система профили XMP

Перейдите в BIOS/UEFI и проверьте, доступны ли профили XMP.

Оцените производительность памяти в бенчмарке

Проведите тесты с использованием Aida64 или аналогичных инструментов для бенчмаркинга.

Примените профиль XMP

Настройте конфигурацию BIOS/UEFI с стандартных значений на желаемый профиль XMP и перезагрузите систему.

Оцените результат

После перезагрузки выполните бенчмарк для оценки стабильности и производительности системы.

Как разогнать оперативную память с использованием AMD Ryzen Master

AMD Ryzen Master представляет собой универсальную утилиту, предназначенную для разгона систем с процессорами AMD Ryzen. В разделе управления памятью вы можете установить желаемые параметры производительности.

Обязательно сохраните профиль и выполните встроенный бенчмарк для проверки стабильности и производительности системы.